Attenzione: i dati modificati non sono ancora stati salvati. Per confermare inserimenti o cancellazioni di voci è necessario confermare con il tasto SALVA/INSERISCI in fondo alla pagina
SFERA Archivio dei prodotti della Ricerca dell'Università di Ferrara
Using e+e- collision data collected with the BESIII detector at the BEPCII collider at 32 center-of-mass energies from 3.50 to 4.95 GeV, corresponding to an integrated luminosity of 25 fb-1, we measure the Born cross section of the e+e-→ς0ς¯0 reaction and the effective form factor for the first time. No significant charmonium(-like) state, i.e., ψ(3770), ψ(4040), ψ(4160), ψ(4230), ψ(4360), ψ(4415), or ψ(4660), decaying into the ς0ς¯0 final state is observed by fitting the e+e-→ς0ς¯0 dressed cross section. The upper limits for the product of the branching fraction and the electronic partial width at the 90% confidence level are provided for each assumed charmonium(-like) state for the first time. In addition, the ratios of the Born cross section and the effective form factor between the e+e-→ς0ς¯0 and the e+e-→ς+ς¯- reactions are provided, which can be used to validate the prediction of the vector meson dominance model.
Measurement of Born cross section of e + e − → Σ0Σ¯0 at sqrt(s) = 3.50–4.95 GeV
Ablikim, M.;Achasov, M. N.;Adlarson, P.;Afedulidis, O.;Ai, X. C.;Aliberti, R.;Amoroso, A.;Bai, Y.;Bakina, O.;Balossino, I.;Ban, Y.;Bao, H. -R.;Batozskaya, V.;Begzsuren, K.;Berger, N.;Berlowski, M.;Bertani, M.;Bettoni, D.;Bianchi, F.;Bianco, E.;Bortone, A.;Boyko, I.;Briere, R. A.;Brueggemann, A.;Cai, H.;Cai, M. H.;Cai, X.;Calcaterra, A.;Cao, G. F.;Cao, N.;Cetin, S. A.;Chai, X. Y.;Chang, J. F.;Che, G. R.;Che, Y. Z.;Chelkov, G.;Chen, C.;Chen, C. H.;Chen, Chao;Chen, G.;Chen, H. S.;Chen, H. Y.;Chen, M. L.;Chen, S. J.;Chen, S. L.;Chen, S. M.;Chen, T.;Chen, X. R.;Chen, X. T.;Chen, Y. B.;Chen, Y. Q.;Chen, Z. J.;Chen, Z. Y.;Choi, S. K.;Cibinetto, G.;Cossio, F.;Cui, J. J.;Dai, H. L.;Dai, J. P.;Dbeyssi, A.;de Boer, R. E.;Dedovich, D.;Deng, C. Q.;Deng, Z. Y.;Denig, A.;Denysenko, I.;Destefanis, M.;De Mori, F.;Ding, B.;Ding, X. X.;Ding, Y.;Ding, Y.;Dong, J.;Dong, L. Y.;Dong, M. Y.;Dong, X.;Du, M. C.;Du, S. X.;Duan, Y. Y.;Duan, Z. H.;Egorov, P.;Fan, Y. H.;Fang, J.;Fang, J.;Fang, S. S.;Fang, W. X.;Fang, Y.;Fang, Y. Q.;Farinelli, R.;Fava, L.;Feldbauer, F.;Felici, G.;Feng, C. Q.;Feng, J. H.;Feng, Y. T.;Fritsch, M.;Fu, C. D.;Fu, J. L.;Fu, Y. W.;Gao, H.;Gao, X. B.;Gao, Y. N.;Gao, Yang;Garbolino, S.;Garzia, I.;Ge, L.;Ge, P. T.;Ge, Z. W.;Geng, C.;Gersabeck, E. M.;Gilman, A.;Goetzen, K.;Gong, L.;Gong, W. X.;Gradl, W.;Gramigna, S.;Greco, M.;Gu, M. H.;Gu, Y. T.;Guan, C. Y.;Guo, A. Q.;Guo, L. B.;Guo, M. J.;Guo, R. P.;Guo, Y. P.;Guskov, A.;Gutierrez, J.;Han, K. L.;Han, T. T.;Hanisch, F.;Hao, X. Q.;Harris, F. A.;He, K. K.;He, K. L.;Heinsius, F. H.;Heinz, C. H.;Heng, Y. K.;Herold, C.;Holtmann, T.;Hong, P. C.;Hou, G. Y.;Hou, X. T.;Hou, Y. R.;Hou, Z. L.;Hu, B. Y.;Hu, H. M.;Hu, J. F.;Hu, Q. P.;Hu, S. L.;Hu, T.;Hu, Y.;Huang, G. S.;Huang, K. X.;Huang, L. Q.;Huang, X. T.;Huang, Y. P.;Huang, Y. S.;Hussain, T.;Hölzken, F.;Hüsken, N.;in der Wiesche, N.;Jackson, J.;Janchiv, S.;Jeong, J. H.;Ji, Q.;Ji, Q. P.;Ji, W.;Ji, X. B.;Ji, X. L.;Ji, Y. Y.;Jia, X. Q.;Jia, Z. K.;Jiang, D.;Jiang, H. B.;Jiang, P. C.;Jiang, S. S.;Jiang, T. J.;Jiang, X. S.;Jiang, Y.;Jiao, J. B.;Jiao, J. K.;Jiao, Z.;Jin, S.;Jin, Y.;Jing, M. Q.;Jing, X. M.;Johansson, T.;Kabana, S.;Kalantar-Nayestanaki, N.;Kang, X. L.;Kang, X. S.;Kavatsyuk, M.;Ke, B. C.;Khachatryan, V.;Khoukaz, A.;Kiuchi, R.;Kolcu, O. B.;Kopf, B.;Kuessner, M.;Kui, X.;Kumar, N.;Kupsc, A.;Kühn, W.;Lavezzi, L.;Lei, T. T.;Lei, Z. H.;Lellmann, M.;Lenz, T.;Li, C.;Li, C.;Li, C. H.;Li, Cheng;Li, D. M.;Li, F.;Li, G.;Li, H. B.;Li, H. J.;Li, H. N.;Li, Hui;Li, J. R.;Li, J. S.;Li, K.;Li, K. L.;Li, L. J.;Li, L. K.;Li, Lei;Li, M. H.;Li, P. R.;Li, Q. M.;Li, Q. X.;Li, R.;Li, S. X.;Li, T.;Li, T. Y.;Li, W. D.;Li, W. G.;Li, X.;Li, X. H.;Li, X. L.;Li, X. Y.;Li, X. Z.;Li, Y. G.;Li, Z. J.;Li, Z. Y.;Liang, C.;Liang, H.;Liang, H.;Liang, Y. F.;Liang, Y. T.;Liao, G. R.;Liao, Y. P.;Libby, J.;Limphirat, A.;Lin, C. C.;Lin, C. X.;Lin, D. X.;Lin, T.;Liu, B. J.;Liu, B. X.;Liu, C.;Liu, C. X.;Liu, F.;Liu, F. H.;Liu, Feng;Liu, G. M.;Liu, H.;Liu, H. B.;Liu, H. H.;Liu, H. M.;Liu, Huihui;Liu, J. B.;Liu, J. Y.;Liu, K.;Liu, K. Y.;Liu, Ke;Liu, L.;Liu, L. C.;Liu, Lu;Liu, M. H.;Liu, P. L.;Liu, Q.;Liu, S. B.;Liu, T.;Liu, W. K.;Liu, W. M.;Liu, X.;Liu, X.;Liu, Y.;Liu, Y.;Liu, Y. B.;Liu, Z. A.;Liu, Z. D.;Liu, Z. Q.;Lou, X. C.;Lu, F. X.;Lu, H. J.;Lu, J. G.;Lu, X. L.;Lu, Y.;Lu, Y. P.;Lu, Z. H.;Luo, C. L.;Luo, J. R.;Luo, M. X.;Luo, T.;Luo, X. L.;Lyu, X. R.;Lyu, Y. F.;Ma, F. C.;Ma, H.;Ma, H. L.;Ma, J. L.;Ma, L. L.;Ma, L. R.;Ma, M. M.;Ma, Q. M.;Ma, R. Q.;Ma, T.;Ma, X. T.;Ma, X. Y.;Ma, Y. M.;Maas, F. E.;MacKay, I.;Maggiora, M.;Malde, S.;Mao, Y. J.;Mao, Z. P.;Marcello, S.;Meng, Z. X.;Messchendorp, J. G.;Mezzadri, G.;Miao, H.;Min, T. J.;Mitchell, R. E.;Mo, X. H.;Moses, B.;Muchnoi, N. Yu.;Muskalla, J.;Nefedov, Y.;Nerling, F.;Nie, L. S.;Nikolaev, I. B.;Ning, Z.;Nisar, S.;Niu, Q. L.;Niu, W. D.;Niu, Y.;Olsen, S. L.;Olsen, S. L.;Ouyang, Q.;Pacetti, S.;Pan, X.;Pan, Y.;Pathak, A.;Pei, Y. P.;Pelizaeus, M.;Peng, H. P.;Peng, Y. Y.;Peters, K.;Ping, J. L.;Ping, R. G.;Plura, S.;Prasad, V.;Qi, F. Z.;Qi, H.;Qi, H. R.;Qi, M.;Qi, T. Y.;Qian, S.;Qian, W. B.;Qiao, C. F.;Qiao, X. K.;Qin, J. J.;Qin, L. Q.;Qin, L. Y.;Qin, X. P.;Qin, X. S.;Qin, Z. H.;Qiu, J. F.;Qu, Z. H.;Redmer, C. F.;Ren, K. J.;Rivetti, A.;Rolo, M.;Rong, G.;Rosner, Ch.;Ruan, M. Q.;Ruan, S. N.;Salone, N.;Sarantsev, A.;Schelhaas, Y.;Schoenning, K.;Scodeggio, M.;Shan, K. Y.;Shan, W.;Shan, X. Y.;Shang, Z. J.;Shangguan, J. F.;Shao, L. G.;Shao, M.;Shen, C. P.;Shen, H. F.;Shen, W. H.;Shen, X. Y.;Shi, B. A.;Shi, H.;Shi, J. L.;Shi, J. Y.;Shi, Q. Q.;Shi, S. Y.;Shi, X.;Song, J. J.;Song, T. Z.;Song, W. M.;Song, Y. J.;Song, Y. X.;Sosio, S.;Spataro, S.;Stieler, F.;Su, S. S.;Su, Y. J.;Sun, G. B.;Sun, G. X.;Sun, H.;Sun, H. K.;Sun, J. F.;Sun, K.;Sun, L.;Sun, S. S.;Sun, T.;Sun, W. Y.;Sun, Y.;Sun, Y. J.;Sun, Y. Z.;Sun, Z. Q.;Sun, Z. T.;Tang, C. J.;Tang, G. Y.;Tang, J.;Tang, M.;Tang, Y. A.;Tao, L. Y.;Tao, Q. T.;Tat, M.;Teng, J. X.;Thoren, V.;Tian, W. H.;Tian, Y.;Tian, Z. F.;Uman, I.;Wan, Y.;Wang, S. J.;Wang, B.;Wang, B. L.;Wang, Bo;Wang, D. Y.;Wang, F.;Wang, H. J.;Wang, J. J.;Wang, J. P.;Wang, K.;Wang, L. L.;Wang, M.;Wang, N. Y.;Wang, S.;Wang, S.;Wang, T.;Wang, T. J.;Wang, W.;Wang, W.;Wang, W. P.;Wang, X.;Wang, X. F.;Wang, X. J.;Wang, X. L.;Wang, X. N.;Wang, Y.;Wang, Y. D.;Wang, Y. F.;Wang, Y. H.;Wang, Y. L.;Wang, Y. N.;Wang, Y. Q.;Wang, Yaqian;Wang, Yi;Wang, Z.;Wang, Z. L.;Wang, Z. Y.;Wang, Ziyi;Wei, D. H.;Weidner, F.;Wen, S. P.;Wen, Y. R.;Wiedner, U.;Wilkinson, G.;Wolke, M.;Wollenberg, L.;Wu, C.;Wu, J. F.;Wu, L. H.;Wu, L. J.;Wu, X.;Wu, X. H.;Wu, Y.;Wu, Y. H.;Wu, Y. J.;Wu, Z.;Xia, L.;Xian, X. M.;Xiang, B. H.;Xiang, T.;Xiao, D.;Xiao, G. Y.;Xiao, S. Y.;Xiao, Y. L.;Xiao, Z. J.;Xie, C.;Xie, X. H.;Xie, Y.;Xie, Y. G.;Xie, Y. H.;Xie, Z. P.;Xing, T. Y.;Xu, C. F.;Xu, C. J.;Xu, G. F.;Xu, H. Y.;Xu, M.;Xu, Q. J.;Xu, Q. N.;Xu, W.;Xu, W. L.;Xu, X. P.;Xu, Y.;Xu, Y. C.;Xu, Z. S.;Yan, F.;Yan, L.;Yan, W. B.;Yan, W. C.;Yan, X. Q.;Yang, H. J.;Yang, H. L.;Yang, H. X.;Yang, J. H.;Yang, T.;Yang, Y.;Yang, Y. F.;Yang, Y. F.;Yang, Y. X.;Yang, Z. W.;Yao, Z. P.;Ye, M.;Ye, M. H.;Yin, J. H.;Yin, Junhao;You, Z. Y.;Yu, B. X.;Yu, C. X.;Yu, G.;Yu, J. S.;Yu, M. C.;Yu, T.;Yu, X. D.;Yu, Y. C.;Yuan, C. Z.;Yuan, J.;Yuan, J.;Yuan, L.;Yuan, S. C.;Yuan, Y.;Yuan, Z. Y.;Yue, C. X.;Zafar, A. A.;Zeng, F. R.;Zeng, S. H.;Zeng, X.;Zeng, Y.;Zeng, Y. J.;Zeng, Y. J.;Zhai, X. Y.;Zhai, Y. C.;Zhan, Y. H.;Zhang, A. Q.;Zhang, B. L.;Zhang, B. X.;Zhang, D. H.;Zhang, G. Y.;Zhang, H.;Zhang, H.;Zhang, H. C.;Zhang, H. H.;Zhang, H. H.;Zhang, H. Q.;Zhang, H. R.;Zhang, H. Y.;Zhang, J.;Zhang, J.;Zhang, J. J.;Zhang, J. L.;Zhang, J. Q.;Zhang, J. S.;Zhang, J. W.;Zhang, J. X.;Zhang, J. Y.;Zhang, J. Z.;Zhang, Jianyu;Zhang, L. M.;Zhang, Lei;Zhang, P.;Zhang, Q. Y.;Zhang, R. Y.;Zhang, S. H.;Zhang, Shulei;Zhang, X. M.;Zhang, X. Y.;Zhang, X. Y.;Zhang, Y.;Zhang, Y.;Zhang, Y. T.;Zhang, Y. H.;Zhang, Y. M.;Zhang, Yan;Zhang, Z. D.;Zhang, Z. H.;Zhang, Z. L.;Zhang, Z. Y.;Zhang, Z. Y.;Zhang, Z. Z.;Zhao, G.;Zhao, J. Y.;Zhao, J. Z.;Zhao, L.;Zhao, Lei;Zhao, M. G.;Zhao, N.;Zhao, R. P.;Zhao, S. J.;Zhao, Y. B.;Zhao, Y. X.;Zhao, Z. G.;Zhemchugov, A.;Zheng, B.;Zheng, B. M.;Zheng, J. P.;Zheng, W. J.;Zheng, Y. H.;Zhong, B.;Zhong, X.;Zhou, H.;Zhou, J. Y.;Zhou, L. P.;Zhou, S.;Zhou, X.;Zhou, X. K.;Zhou, X. R.;Zhou, X. Y.;Zhou, Y. Z.;Zhou, Z. C.;Zhu, A. N.;Zhu, J.;Zhu, K.;Zhu, K. J.;Zhu, K. S.;Zhu, L.;Zhu, L. X.;Zhu, S. H.;Zhu, T. J.;Zhu, W. D.;Zhu, Y. C.;Zhu, Z. A.;Zou, J. H.;Zu, J.;null, null
2025
Abstract
Using e+e- collision data collected with the BESIII detector at the BEPCII collider at 32 center-of-mass energies from 3.50 to 4.95 GeV, corresponding to an integrated luminosity of 25 fb-1, we measure the Born cross section of the e+e-→ς0ς¯0 reaction and the effective form factor for the first time. No significant charmonium(-like) state, i.e., ψ(3770), ψ(4040), ψ(4160), ψ(4230), ψ(4360), ψ(4415), or ψ(4660), decaying into the ς0ς¯0 final state is observed by fitting the e+e-→ς0ς¯0 dressed cross section. The upper limits for the product of the branching fraction and the electronic partial width at the 90% confidence level are provided for each assumed charmonium(-like) state for the first time. In addition, the ratios of the Born cross section and the effective form factor between the e+e-→ς0ς¯0 and the e+e-→ς+ς¯- reactions are provided, which can be used to validate the prediction of the vector meson dominance model.
I documenti in SFERA sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11392/2600155
Citazioni
ND
1
ND
social impact
Conferma cancellazione
Sei sicuro che questo prodotto debba essere cancellato?
simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
